TC設備-溫度沖擊試驗箱概述

1.近年來隨著我國半導體制造業(yè)的不斷壯大，對IC芯片的制備工藝及品質要求更加精密，同步配套的TC設備逐漸國產化，在此機會下，東莞中科測試設備有限公司研制出與100萬級無塵車間制備工藝匹配的可靠性試驗設備（溫度沖擊試驗箱）。

2.溫度沖擊試驗箱應用模擬*溫和極低溫的氣候環(huán)境對半導體元器件進行冷熱交替膨脹和收縮所引起的化學變化或物理傷害，使其產生熱應力及應變。主要應用在IC封裝抗溫度沖擊測試，避免芯片在使用過程中受到環(huán)境應力的考驗時而導致失效，對于提高出貨良率與制備工藝有顯著效果。

3.控制系統(tǒng)：中英文菜單式人機對話操作方式，有開機自檢功能、溫度線性校正、自動停機、系統(tǒng)預約定時啟動功能；實現(xiàn)工業(yè)自動化，帶數(shù)據交互功能，能與客戶主機鏈接實現(xiàn)遠程監(jiān)控，了解設備與試驗運行狀態(tài)，可以通過任何移動終端監(jiān)控。 

TC設備-溫度沖擊試驗箱技術新能

1.溫度沖擊范圍：-40℃～+150℃；-55℃～+150℃；-65℃～+150℃。（高溫可定制：+250℃）

2.高低溫區(qū)溫度范圍：

A.高溫蓄能區(qū)：室溫～+155℃。（定制性：室溫～+215℃）

B.低溫蓄能區(qū)：室溫～-55℃；室溫～-70℃；室溫～-80℃。

3.測試區(qū)溫度范圍：

A.高溫沖擊溫度范圍：+50℃～+150℃。（定制型：+50℃～+200℃）

B.低溫沖擊溫度范圍：-10℃～-40℃；-10℃～-55℃；-10℃～-65℃。

C.溫度波動度：±0.5℃。

D.溫度均勻度：±2.0℃。

4.高低溫測試區(qū)溫度恢復和轉換時間：≤5分鐘。（可定制溫變速率為：10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，線性與非線性溫變）

5.試驗測試溫度范圍：-40℃～+85℃；-40℃～+120℃；-55℃～+125℃。（可根據試驗要求選擇溫度范圍）

6.試驗測試方式：高低溫沖擊試驗、冷熱沖擊試驗、高低溫恒定試驗、高低溫交變沖擊試驗。

7.試品重量：8 KG（可訂制其他規(guī)格）。

8.使用電源：AC3∮5W 380V±10% ；50HZ。

9.重量約：480KG。

10.在無試驗負荷、無層架情況下穩(wěn)定20分鐘后測定的性能。

11.溫度均勻度定義為：實驗機幾何中心點處（計量單位空間9點測溫法）。

12.設備制造標準：GB/T10586-2006，GB/T10592-1989。

13.設備檢定標準：GB/T5170.2-1996，GB/T5170.5-1996。

14.設備的型號和規(guī)格選擇如下：

 型 號          內箱尺寸（mm）        外箱尺寸（mm）

ZK-TS -80L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-120L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-150L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-225L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-408L       W600×H850×D800      W900×H1980×D1550

ZK-TS-800L       W800×H1000×D1000     W1100×H2150×D1650

ZK-TS-1000L      W1000×H1000×D1000    W1300×H2150×D1650

可按需求尺寸非標定制......

溫度沖擊試驗箱測試執(zhí)行與滿足標準

1.GB/T2423.1-2001低溫試驗方法。

2.QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗一般規(guī)則。

3.滿足標準IEC68-2-14_試驗方法N_溫度變化。

4.SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗箱——二箱式。

5.SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗箱——一箱式。

6.GB/T2423.2-2001；GB/T2423.22-1989溫度變化試驗N。

7.GJB150.3-86；GJB150.4-86；GJB150.5-86溫度沖擊試驗。

8.GJB360.7-87溫度沖擊試驗；GJB367.2-87 405溫度沖擊試驗。

9.EIA 364-32熱沖擊（溫度循環(huán)）測試程序的電連接器和插座的環(huán)境影響評估。

10.GB/T 2424.13-2002試驗方法溫度變化試驗導則；GB/T 2423.22-2002溫度變化。