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大連物化所發(fā)現(xiàn)光電-熱電耦合效應(yīng)可提升太陽電池效率
大連化學(xué)物理研究所太陽能研究部(DNL16)李燦院[詳細(xì)]
5項(xiàng)國(guó)家計(jì)量技術(shù)規(guī)范征求意見 包括《光學(xué)陀螺測(cè)角儀校準(zhǔn)規(guī)范》等
2023年11月11日 11:43:29
來源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：4147
《晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》《晶圓級(jí)臺(tái)階高度凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》《干涉式三維表面形貌測(cè)量?jī)x校準(zhǔn)規(guī)范》《光學(xué)陀螺測(cè)角儀校準(zhǔn)規(guī)范》和《散目標(biāo)式視覺測(cè)量系統(tǒng)校準(zhǔn)規(guī)范》5項(xiàng)計(jì)量技術(shù)規(guī)范征求意見中。
【化工儀器網(wǎng) 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布】計(jì)量是實(shí)現(xiàn)單位統(tǒng)一、保證量值準(zhǔn)確可靠的活動(dòng)，關(guān)系國(guó)計(jì)民生，計(jì)量發(fā)展水平是國(guó)家核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要標(biāo)志之一。社會(huì)公用計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)作為統(tǒng)一量值的法定依據(jù)，是推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的重要基礎(chǔ)設(shè)施，是國(guó)家的重要戰(zhàn)略資源。
根據(jù)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局下達(dá)的國(guó)家計(jì)量技術(shù)規(guī)范制修訂計(jì)劃，全國(guó)幾何量長(zhǎng)度計(jì)量技術(shù)委員會(huì)已完成《晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》《晶圓級(jí)臺(tái)階高度凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》《干涉式三維表面形貌測(cè)量?jī)x校準(zhǔn)規(guī)范》《光學(xué)陀螺測(cè)角儀校準(zhǔn)規(guī)范》和《散目標(biāo)式視覺測(cè)量系統(tǒng)校準(zhǔn)規(guī)范》5項(xiàng)計(jì)量技術(shù)規(guī)范的征求意見稿。為了使國(guó)家計(jì)量技術(shù)規(guī)范能廣泛適用和更具可操作性，特向全國(guó)有關(guān)單位及專家公開征求意見和建議。
《晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》
晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片指以硅晶圓片為基底，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)以及原子層沉積(ALD)等方法生長(zhǎng)出微納米量級(jí)的單層二氧化硅薄膜，主要被測(cè)參數(shù)為薄膜厚度，晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片是集成電路產(chǎn)線質(zhì)控的必要器件。
本規(guī)范根據(jù)JJF1071-2010《國(guó)家計(jì)量校準(zhǔn)規(guī)范編寫規(guī)則》，本規(guī)范內(nèi)容包括：引言；范圍；引用文件；概述；計(jì)量特性；校準(zhǔn)條件；校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法；校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)；復(fù)校時(shí)間間隔以及附錄幾個(gè)部分。其適用于晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片的校準(zhǔn)，薄膜材料為硅上二氧化硅，校準(zhǔn)方法為激光橢偏儀，同時(shí)其他材料的晶圓級(jí)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片的校準(zhǔn)也可以參照本規(guī)范。
《晶圓級(jí)臺(tái)階高度/凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》
晶圓級(jí)臺(tái)階高度/凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片是用來校準(zhǔn)微電子集成電路領(lǐng)域微納表面形貌測(cè)量?jī)x的標(biāo)準(zhǔn)器。其基底為硅晶片，通過對(duì)其表面氧化膜刻蝕得到臺(tái)階結(jié)構(gòu)，可適應(yīng)于接觸或非接觸式的各類表面形貌顯微測(cè)量裝置。特征結(jié)構(gòu)位于標(biāo)準(zhǔn)片的中心，可通過輔助圖形幫助快速定位。
本規(guī)范內(nèi)容包括：引言；范圍；引用文件；概述；計(jì)量特性；校準(zhǔn)條件；校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法；校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)；復(fù)校時(shí)間間隔以及附錄幾個(gè)部分。其適用晶圓級(jí)標(biāo)準(zhǔn)片的校準(zhǔn)。包括晶圓級(jí)臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)片、晶圓級(jí)凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片的首次校準(zhǔn)、后續(xù)校準(zhǔn)和使用中檢查。
《干涉式三維表面形貌測(cè)量?jī)x校準(zhǔn)規(guī)范》
干涉式三維表面形貌測(cè)量?jī)x基于雙光束干涉的原理，經(jīng)樣品表面反射回的參考光與測(cè)量光形成干涉條紋，并經(jīng)由CCD采集，經(jīng)過算法重構(gòu)獲得表面形貌，在垂直方向上可以達(dá)到亞納米級(jí)的分辨力。
本規(guī)范內(nèi)容包括：引言；范圍；引用文件；概述；計(jì)量特性；校準(zhǔn)條件；校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法；校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)；復(fù)校時(shí)間間隔以及附錄幾個(gè)部分。其適用于干涉式三維表面形貌測(cè)量?jī)x的校準(zhǔn)，其它基于干涉原理的顯微鏡校準(zhǔn)也可參照本規(guī)范。
《光學(xué)陀螺測(cè)角儀校準(zhǔn)規(guī)范》
光學(xué)陀螺測(cè)角儀是基于薩格納克效應(yīng)發(fā)展出來的一種角度測(cè)量?jī)x器，陀螺本體，光路內(nèi)藏于殼內(nèi)，卡盤下表面與陀螺敏感面平行，通過卡盤安裝在載體工作面上；數(shù)據(jù)采集模塊，通過無線或有線通訊與陀螺本體互聯(lián)，可在外部觸發(fā)或內(nèi)部觸發(fā)下實(shí)時(shí)采集角度測(cè)量結(jié)果，測(cè)量結(jié)果可傳輸至上位機(jī)顯示或分析。
本規(guī)范內(nèi)容包括：引言；范圍；引用文件；術(shù)語；概述；計(jì)量特性；校準(zhǔn)條件；校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法；校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)；復(fù)校時(shí)間間隔以及附錄幾個(gè)部分。其適用于環(huán)形激光陀螺測(cè)角儀和光纖陀螺測(cè)角儀的角位置相關(guān)計(jì)量性能的校準(zhǔn)。
同時(shí)，該規(guī)范制定內(nèi)容只涉及光學(xué)陀螺測(cè)角儀在特定溫度范圍內(nèi)角位置測(cè)量結(jié)果的校準(zhǔn)方法，未涉及光學(xué)陀螺測(cè)角儀在不同溫度條件下的校準(zhǔn)方法，也不涉及光學(xué)陀螺測(cè)角儀角速度測(cè)量結(jié)果的校準(zhǔn)方法。
《散目標(biāo)式視覺測(cè)量?jī)x校準(zhǔn)規(guī)范》
散目標(biāo)式視覺測(cè)量?jī)x是以散斑為目標(biāo)點(diǎn)，利用數(shù)字相機(jī)獲取散斑的數(shù)字圖像，經(jīng)數(shù)字圖像相關(guān)法運(yùn)算，獲得被測(cè)對(duì)象表面坐標(biāo)的測(cè)量?jī)x器，常用于零件表面變形/應(yīng)變的測(cè)量，也稱為全場(chǎng)變形/應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)，具有非接觸測(cè)量、全場(chǎng)測(cè)量、動(dòng)態(tài)測(cè)量等特性。
本規(guī)范內(nèi)容包括：引言；范圍；引用文件；術(shù)語和定義；概述；計(jì)量特性；校準(zhǔn)條件；校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法；校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)；復(fù)校時(shí)間間隔以及附錄幾個(gè)部分。其適用于以散斑點(diǎn)為特征點(diǎn)、以數(shù)字圖像相關(guān)法為基本原理的視覺測(cè)量?jī)x的校準(zhǔn)。
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